MOSFET DiodesZetex canal P, PowerDI3333-8 17,5 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
17.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
PowerDI3333-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
41 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
3.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 11,17
€ 0,558 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,558 | € 11,17 |
| 100 - 480 | € 0,39 | € 7,79 |
| 500 - 980 | € 0,35 | € 6,99 |
| 1000 - 2480 | € 0,312 | € 6,24 |
| 2500+ | € 0,28 | € 5,61 |
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
17.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
PowerDI3333-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
41 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
3.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
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