MOSFET DiodesZetex canal P, PowerDI3333-8 11 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
PowerDI3333-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
41 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
3.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.85mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 76,97
€ 0,192 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
400
€ 76,97
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
400
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 400 - 975 | € 0,192 | € 4,81 |
| 1000+ | € 0,149 | € 3,72 |
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
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Type de boîtier
PowerDI3333-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
41 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
3.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.85mm
Température de fonctionnement minimum
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