MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-23 3,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 7,56
€ 0,151 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,151 | € 7,56 |
| 600 - 1450 | € 0,072 | € 3,58 |
| 1500 - 2450 | € 0,068 | € 3,41 |
| 2500 - 4950 | € 0,066 | € 3,30 |
| 5000+ | € 0,065 | € 3,24 |
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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