MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-23 4,2 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
113 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
7,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 7,20
€ 0,072 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 500 | € 0,072 | € 7,20 |
| 600 - 1400 | € 0,068 | € 6,85 |
| 1500+ | € 0,056 | € 5,59 |
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P
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4,2 A
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Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
113 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
7,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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