MOSFET DiodesZetex canal P, DI5060 90 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
DMP
Type de boîtier
DI5060
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6mm
Charge de Grille type @ Vgs
64,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.1mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 822,30
€ 0,329 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 822,30
€ 0,329 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
DMP
Type de boîtier
DI5060
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6mm
Charge de Grille type @ Vgs
64,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.1mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.