Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
0,7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SMini
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,26
€ 0,21 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
€ 5,26
€ 0,21 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
0,7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SMini
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


