MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-346 700 mA 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 751-4269Marque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMP3030SN-7
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

0,7 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SMini

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

450 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

0,5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.1mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.7mm

Hauteur

1.3mm

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 5,26

€ 0,21 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-346 700 mA 30 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 5,26

€ 0,21 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-346 700 mA 30 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

0,7 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

SMini

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

450 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

0,5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.1mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.7mm

Hauteur

1.3mm

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus