MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-26 5 A 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-26
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
21,1 nC @ 10 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 35,64
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
150
€ 35,64
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Paquet de production (Bobine)
150
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,238 | € 5,94 |
| 750 - 1475 | € 0,211 | € 5,27 |
| 1500+ | € 0,192 | € 4,80 |
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5 A
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Type de conditionnement
SOT-26
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
21,1 nC @ 10 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
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