MOSFET DiodesZetex canal P, SOP 6 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 823-4037Marque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMP3056LSS-13
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

FM, SOP

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

65 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.1mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.3mm

Charge de Grille type @ Vgs

13,7 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 7,48

€ 0,299 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal P, SOP 6 A 30 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 7,48

€ 0,299 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal P, SOP 6 A 30 V, 8 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

FM, SOP

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

65 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.1mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.3mm

Charge de Grille type @ Vgs

13,7 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus