Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
FM, SOP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 7,48
€ 0,299 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 7,48
€ 0,299 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
FM, SOP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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