Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.08 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 31,85
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
€ 31,85
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
600
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.08 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit