MOSFET DiodesZetex canal P, PowerDI5060-8 21 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
PowerDI5060-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6mm
Charge de Grille type @ Vgs
127 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.05mm
Pays d'origine
China
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€ 1 122,36
€ 0,449 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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P
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Type de boîtier
PowerDI5060-8
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CMS
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8
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6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Tension de seuil minimale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6mm
Charge de Grille type @ Vgs
127 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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