Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
3.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
6.2mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,51
€ 0,551 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 5,51
€ 0,551 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
3.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
6.2mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit