Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
2.14 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,7 nC @ 10 V
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 7,18
€ 0,718 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 7,18
€ 0,718 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,718 | € 7,18 |
| 30 - 120 | € 0,522 | € 5,22 |
| 130 - 620 | € 0,434 | € 4,34 |
| 630 - 1240 | € 0,416 | € 4,16 |
| 1250+ | € 0,408 | € 4,08 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
2.14 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,7 nC @ 10 V
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


