MOSFET DiodesZetex canal P, SOIC 5,8 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 823-4030Marque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMP4025LSD-13
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

5.8 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Type de boîtier

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

45 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.8V

Dissipation de puissance maximum

2.14 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.95mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

4.95mm

Charge de Grille type @ Vgs

33,7 nC @ 10 V

Hauteur

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal P, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 0,718 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 20€ 0,718€ 7,18
30 - 120€ 0,522€ 5,22
130 - 620€ 0,434€ 4,34
630 - 1240€ 0,416€ 4,16
1250+€ 0,408€ 4,08

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P

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5.8 A

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8

Résistance Drain Source maximum

45 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

1.8V

Dissipation de puissance maximum

2.14 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.95mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

4.95mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Hauteur

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