MOSFET DiodesZetex canal P, PowerDI3333-8 7,2 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
7.2 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
PowerDI3333-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Dissipation de puissance maximum
810 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.35mm
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,7 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 368,42
€ 0,184 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
3.35mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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