Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
26 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
DMP
Type de boîtier
DI5060
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
30,6 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.05mm
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1 385,03
€ 0,554 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
26 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
DMP
Type de boîtier
DI5060
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
30,6 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.05mm
Standard automobile
AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit