MOSFET DiodesZetex canal N, SOIC 7,6 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 146-4775PMarque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMTH6016LSD-13
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

7.6 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

DMT

Type de boîtier

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

28 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.4 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Largeur

3.95mm

Longueur

4.95mm

Charge de Grille type @ Vgs

17 @ 10 V nC

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

1.5mm

Standard automobile

AEC-Q101

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 29,00

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

28 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.4 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Largeur

3.95mm

Longueur

4.95mm

Charge de Grille type @ Vgs

17 @ 10 V nC

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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