Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
DMT
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
17 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.5mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 29,00
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 29,00
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
DMT
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
17 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.5mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit