MOSFET DiodesZetex canal N, E ligne 320 mA 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
320 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
E ligne
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 26,25
€ 0,525 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bande)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,525 | € 5,25 |
| 100 - 490 | € 0,511 | € 5,11 |
| 500 - 990 | € 0,498 | € 4,98 |
| 1000+ | € 0,486 | € 4,86 |
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N
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-100 V
Type de boîtier
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
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