Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
270 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
E ligne
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 3,43
€ 0,686 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 3,43
€ 0,686 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 35 | € 0,686 | € 3,43 |
40 - 195 | € 0,406 | € 2,03 |
200 - 995 | € 0,354 | € 1,77 |
1000 - 1995 | € 0,306 | € 1,53 |
2000+ | € 0,252 | € 1,26 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
270 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
E ligne
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit