Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 7,80
€ 0,39 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 7,80
€ 0,39 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,39 | € 7,80 |
| 40 - 180 | € 0,375 | € 7,50 |
| 200 - 980 | € 0,355 | € 7,09 |
| 1000 - 1980 | € 0,343 | € 6,86 |
| 2000+ | € 0,323 | € 6,46 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


