Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Largeur
3.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1,51
€ 1,51 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 1,51
€ 1,51 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 1,51 |
10 - 19 | € 1,44 |
20 - 49 | € 1,35 |
50 - 99 | € 1,30 |
100+ | € 1,22 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Largeur
3.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit