Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
320 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 40,91
€ 0,409 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
100
€ 40,91
€ 0,409 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
---|---|---|
100 - 480 | € 0,409 | € 8,18 |
500 - 980 | € 0,369 | € 7,39 |
1000+ | € 0,328 | € 6,57 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
320 mA
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit