MOSFET DiodesZetex canal P, E ligne 280 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
280 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
E ligne
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 6,67
€ 0,667 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 30 | € 0,667 | € 6,67 |
| 40 - 190 | € 0,602 | € 6,02 |
| 200 - 990 | € 0,535 | € 5,35 |
| 1000 - 1990 | € 0,466 | € 4,66 |
| 2000+ | € 0,401 | € 4,01 |
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P
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
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