Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
160 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1 137,50
€ 0,284 Each (In a Bag of 4000) (hors TVA)
4000
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
160 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
E ligne
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.41mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.77mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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