Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
260 mA
Tension Drain Source maximum
250 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+40 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,45 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.7mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 100 à 450 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 282,85
€ 0,283 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 282,85
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1000
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
260 mA
Tension Drain Source maximum
250 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
+40 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,45 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.7mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit