Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2.6 A, 4.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ, 125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 12,95
€ 0,648 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 12,95
€ 0,648 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
20 - 240 | € 0,648 | € 12,96 |
260+ | € 0,519 | € 10,39 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2.6 A, 4.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ, 125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit