MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 2,6 A, 4,7 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2.6 A, 4.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ, 125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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CMS
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Isolated
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±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
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