MOSFET DiodesZetex canal N/P, SM 1,8 A, 3,1 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
1.8 A, 3.1 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SM
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ, 330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Full Bridge
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
4
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 10 V, 5,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Pont en H de transistor MOSFET à mode d'enrichissement complémentaire, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 27,63
€ 1,842 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
15
€ 27,63
€ 1,842 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
15
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 15 - 45 | € 1,842 | € 9,21 |
| 50 - 245 | € 1,633 | € 8,17 |
| 250 - 495 | € 1,413 | € 7,07 |
| 500+ | € 1,228 | € 6,14 |
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Courant continu de Drain maximum
1.8 A, 3.1 A
Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
SM
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ, 330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Full Bridge
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
4
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 10 V, 5,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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