MOSFET DiodesZetex canal N/P, SM 1,8 A, 3,1 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 823-1877PMarque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: ZXMHC3A01T8TA
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Documents techniques

Spécifications

Brand

DiodesZetex

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

1.8 A, 3.1 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de conditionnement

SM

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

180 mΩ, 330 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

1,7 W

Configuration du transistor

Pont complet

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

3.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

4

Longueur

6.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

3,9 nC @ 10 V, 5,2 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Pont en H de transistor MOSFET à mode d'enrichissement complémentaire, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 18,79

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal N/P, SM 1,8 A, 3,1 A 30 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

15

Disponible en multiples de 5
15€ 18,79
20€ 25,06
25€ 31,32
30€ 37,59
35€ 43,85
40€ 50,12
45€ 56,38
50€ 62,65
55€ 68,91
60€ 75,18
65€ 81,44
70€ 87,71
75€ 93,97
80€ 100,24
85€ 106,50

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SM

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8

Résistance Drain Source maximum

180 mΩ, 330 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

1,7 W

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±20 V

Largeur

3.7mm

Matériau du transistor

Si

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4

Longueur

6.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

3,9 nC @ 10 V, 5,2 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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