MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 4,1 A, 4,98 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 751-5344Marque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: ZXMHC3F381N8TC
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Documents techniques

Spécifications

Brand

DiodesZetex

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

4,1 A, 4,98 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type d'emballage

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

60 mΩ, 80 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

1,35 W

Configuration du transistor

Full Bridge

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

9 nC V @ 10

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

4

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Pont en H de transistor MOSFET à mode d'enrichissement complémentaire, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 4,76

€ 0,953 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 4,1 A, 4,98 A 30 V, 8 broches
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Standard

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Production -

Disponible en multiples de 5.

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5

Disponible en multiples de 5
5€ 4,76
10€ 9,53
15€ 14,29
20€ 19,05
25€ 23,81
30€ 28,58
35€ 33,34
40€ 38,10
45€ 42,86
50€ 47,63
55€ 52,39
60€ 57,15
65€ 61,92
70€ 66,68
75€ 71,44

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8

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60 mΩ, 80 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

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1,35 W

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Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

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4

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Taille

1.5mm

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