MOSFET DiodesZetex canal N/P, SM 1,8 A, 1,5 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 669-7461PMarque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: ZXMHC6A07T8TA
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Documents techniques

Spécifications

Brand

DiodesZetex

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

1,8 A, 1,5 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

SM

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

300 mΩ, 425 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

1,7 W

Configuration du transistor

Pont complet

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

1,65 nC @ 5 V, 2,4 nC @ 5 V

Largeur

3.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

4

Longueur

6.7mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Germany

Détails du produit

Pont en H de transistor MOSFET à mode d'enrichissement complémentaire, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 14,38

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal N/P, SM 1,8 A, 1,5 A 60 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 2
10€ 14,38
12€ 17,25
14€ 20,13
16€ 23,00
18€ 25,88
20€ 28,75
22€ 31,63
24€ 34,50
26€ 37,38
28€ 40,25
30€ 43,13
32€ 46,00
34€ 48,88
36€ 51,75
38€ 54,63

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SM

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8

Résistance Drain Source maximum

300 mΩ, 425 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

1,7 W

Configuration du transistor

Pont complet

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1,65 nC @ 5 V, 2,4 nC @ 5 V

Largeur

3.7mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.6mm

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