MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-223 2,4 A 100 V, 3 + Tab broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.4 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3 + Tab
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
3,9 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
5,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.7mm
Largeur
3.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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CMS
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
4V
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Single
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Matériau du transistor
Si
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Longueur
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Largeur
3.7mm
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