MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 378,69
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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SOT-23, TO-236
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
3.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 10 V
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150 °C
Hauteur
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