MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-89 3,3 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-89
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.12 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.95V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 8,36
€ 0,334 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 8,36
€ 0,334 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-89
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.12 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
2.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.95V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.