Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.9 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
29,6 nC @ 10 V
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.9 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
29,6 nC @ 10 V
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.8mm
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