Transistor MOSFET DiodesZetex canal P, SOIC 17 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
5.35 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
77,1 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.5mm
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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10
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P
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Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
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5.35 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
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Température d'utilisation maximum
150 °C
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