MOSFET DiodesZetex canal P, DPAK (TO-252) 10,4 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10.4 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
10.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
7.67mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 1 827,41
€ 0,731 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Enrichissement
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
7.67mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
2.39mm
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