MOSFET DiodesZetex canal N, SM 1,2 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1,2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
IntelliFET
Type de boîtier
SM
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2,13 W
Configuration du transistor
Isolated
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.95mm
Longueur
4.95mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Taille
1.5mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistors MOSFET autoprotégés IntelliFET, Diodes Inc
Les IntelliFET sont des transistors MOSFET à protection automatique dotés d'un ensemble complet de circuits de protection contre les ESD (circuits électrostatiques sensibles), la surintensité, la surtension et la surchauffe.
Protection contre les courts-circuits avec redémarrage automatique.
Protection contre les surtensions (attache active)
Protection contre les surintensités.
Protection d'entrée (ESD)
Valeur nominale du courant continu élevée
Protection contre les pertes de charge
Entrée de niveau logique
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 514,83
€ 0,515 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
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2,13 W
Configuration du transistor
Isolated
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2
Largeur
3.95mm
Longueur
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Taille
1.5mm
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Transistors MOSFET autoprotégés IntelliFET, Diodes Inc
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Protection contre les courts-circuits avec redémarrage automatique.
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