MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 1.3 A 70 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
70 V
Série
IntelliFET
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Taille
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistors MOSFET autoprotégés IntelliFET, Diodes Inc
Les IntelliFET sont des transistors MOSFET à protection automatique dotés d'un ensemble complet de circuits de protection contre les ESD (circuits électrostatiques sensibles), la surintensité, la surtension et la surchauffe.
Protection contre les courts-circuits avec redémarrage automatique.
Protection contre les surtensions (attache active)
Protection contre les surintensités.
Protection d'entrée (ESD)
Valeur nominale du courant continu élevée
Protection contre les pertes de charge
Entrée de niveau logique
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 4,19
€ 0,839 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Taille
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistors MOSFET autoprotégés IntelliFET, Diodes Inc
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Protection contre les courts-circuits avec redémarrage automatique.
Protection contre les surtensions (attache active)
Protection contre les surintensités.
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