Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-3PN 24 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
290 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
90 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.8mm
Largeur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
18.9mm
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Prix sur demande
1
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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290 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
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