Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, D-PAK 7,6 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.6 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D-PAK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
360 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.6mm
Largeur
6.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.3mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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N
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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