Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 12,8 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
65 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.1mm
Largeur
4.7mm
Taille
9.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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N
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Mode de canal
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65 W
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±20 V
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1
Température d'utilisation maximum
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