Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 15,6 A 250 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15.6 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
139 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
41 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.1mm
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.4mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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139 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
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