Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220F 4,5 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.5 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220F
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
33 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Largeur
4.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Taille
9.19mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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Through Hole
Nombre de broche
3
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2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
33 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
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Longueur
10.16mm
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