Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220F 5.5 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.5 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type d'emballage
TO-220F
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
51 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
21 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Largeur
4.7mm
Séries
QFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
15.87mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
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51 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
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21 nC @ 10 V
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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