TRANSISTOR MOSFET CANAL N - IRF630
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
74 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Largeur
4.6mm
Détails du produit
Molex BEAU Series Power Connectors
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
74 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Largeur
4.6mm
Détails du produit
Molex BEAU Series Power Connectors