MOSFET Infineon canal N, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-363
Série
OptiMOS™
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
0,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.25mm
Longueur
2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET double Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 150,78
€ 0,05 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,05 | € 150,78 |
| 6000 - 12000 | € 0,048 | € 143,76 |
| 15000+ | € 0,046 | € 136,75 |
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N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-363
Série
OptiMOS™
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
0,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.25mm
Longueur
2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.8mm
Pays d'origine
China
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MOSFET Transistors, Infineon
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