MOSFET Infineon canal N, PG-TO247-4 202 A 1 200 V, 4 broches

N° de stock RS: 349-372Marque: InfineonN° de pièce Mfr: AIMZH120R010M1TXKSA1
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

202 A

Tension Drain Source maximum

1200 V

Séries

AIM

Type de conditionnement

PG-TO247-4

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

4

Mode de canal

Enrichissement

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 69,45

€ 69,45 Each (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, PG-TO247-4 202 A 1 200 V, 4 broches

€ 69,45

€ 69,45 Each (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, PG-TO247-4 202 A 1 200 V, 4 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 69,45
10+€ 62,51

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

202 A

Tension Drain Source maximum

1200 V

Séries

AIM

Type de conditionnement

PG-TO247-4

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

4

Mode de canal

Enrichissement

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Pays d'origine

China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus