Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
162 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
0,004 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Si
€ 2 824,76
€ 3,531 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
162 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
0,004 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Si