Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DirectFET
Séries
HEXFET
Type de montage
CMS
Nombre de broches
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Matériau du transistor
Silicium
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 11 818,91
€ 2,955 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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InfineonType de canal
N
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545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DirectFET
Séries
HEXFET
Type de montage
CMS
Nombre de broches
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Matériau du transistor
Silicium
Nombre d'éléments par circuit
1