Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 15,42
€ 7,709 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 15,42
€ 7,709 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 8 | € 7,709 | € 15,42 |
10 - 18 | € 6,94 | € 13,88 |
20 - 48 | € 6,553 | € 13,11 |
50 - 98 | € 6,089 | € 12,18 |
100+ | € 5,626 | € 11,25 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
545 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
DirectFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
15
Résistance Drain Source maximum
0,0006 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium